銀河微電擬3.1億元投建 分立器件產(chǎn)業(yè)化基地

2025-07-12 01:13:03 來源: 證券時報

  7月11日晚間,銀河微電(688689)發(fā)布公告,公司擬以3.1億元投資實施“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設(shè)項目”,旨在提升公司集成電路分立器件產(chǎn)品的生產(chǎn)加工能力,擴大生產(chǎn)規(guī)模。

  公告顯示,本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金,建設(shè)周期30個月,計劃通過購置土地及開展廠房土建工程,為后續(xù)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)奠定基礎(chǔ)。

  作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體分立器件制造商,銀河微電主要產(chǎn)品包括小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導體(SiC、GaN)器件,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費電子、工業(yè)控制、新能源及5G通信等領(lǐng)域。

  近年來,受益于下游需求的強勁驅(qū)動,我國半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)擴大,業(yè)內(nèi)企業(yè)相繼收獲紅利。2022年至2024年,銀河微電營業(yè)收入分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元,呈逐年上升態(tài)勢。公司表示,受生產(chǎn)場地、設(shè)備及人力資源的限制,當前產(chǎn)能已難以滿足日益增長的市場需求,本次推進相關(guān)半導體分立器件產(chǎn)能規(guī)模擴張,可促進業(yè)務(wù)發(fā)展,進一步提升盈利水平。

  目前,硅材料平臺仍然是主流的半導體分立器件工藝平臺,并將在未來相當一段時間內(nèi)占據(jù)主要市場,但新的半導體材料,如SiC、GaN工藝平臺正在逐步走向成熟,并在新能源汽車、光伏逆變器等場景的應(yīng)用占比顯著提升。

  2024年,公司適時優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu),重點提升MOS產(chǎn)品、TVS及穩(wěn)壓管產(chǎn)品的銷售占比,推動產(chǎn)銷量穩(wěn)步增長,特別是在車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目方面,客戶拓展取得顯著突破。與此同時,進一步推進光電器件及IGBT器件擴產(chǎn),加大對新增設(shè)備投入。

  為搶抓市場機遇,銀河微電持續(xù)加快高端產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進度。目前,公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設(shè)計能力,并且實現(xiàn)了小批量應(yīng)用。

  在新產(chǎn)業(yè)300832)布局方面,銀河微電“車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化”項目進入產(chǎn)能爬坡階段,產(chǎn)品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等,獲得多家車企供應(yīng)鏈認證,聚焦新能源汽車的電機控制、車載充電系統(tǒng)及ADAS領(lǐng)域,滿足AEC-Q101等國際車規(guī)標準,逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場份額。同時,光電耦合器及LED產(chǎn)品已應(yīng)用于工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域,并與多家客戶合作,開發(fā)高精度傳感器及電源管理模塊。

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