華創(chuàng)證券發(fā)布研報稱，近期存儲供給收縮催化短周期價格走強，長期來看AI高景氣有望推動中長期需求向上。近年服務(wù)器NAND和DRAM應(yīng)用占比持續(xù)增長，已成全球存儲市場增長核心引擎。國產(chǎn)替代方面，企業(yè)級存儲國產(chǎn)化大勢所趨，國內(nèi)廠商針對企業(yè)級閃存模組&內(nèi)存模組國產(chǎn)化均有一定進展。

　　華創(chuàng)證券主要觀點如下：

　　供給收縮催化短周期價格走強，AI高景氣推動中長期需求向上

　　(1)DRAM：原廠停產(chǎn)D4世代供給收縮，PC/server類價格持續(xù)上揚DDR4內(nèi)存已商用15年，因DDR5在性能、功耗、容量上限及可靠性等維度的綜合優(yōu)勢，市場需求逐步轉(zhuǎn)向DDR5世代。與此同時，HBM、DDR5和LPDDR5(X)等新世代產(chǎn)品利潤率顯著高于舊制程，推動內(nèi)存市場全面向DDR5轉(zhuǎn)型�；�于此趨勢，三星和SK海力士已將資源重心轉(zhuǎn)向DDR5/LPDDR5高端產(chǎn)品線，逐步縮減舊制程DDR4產(chǎn)能。自24Q4主流存儲原廠宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR4至今已逾半年，帶動DDR4顆粒價格率先觸底反彈。受原廠停產(chǎn)催化，內(nèi)存模組成品市場交易活躍度顯著提升，內(nèi)存模組現(xiàn)貨報價持續(xù)上揚。合約價方面，除原廠退產(chǎn)DDR4世代產(chǎn)品以外，云廠需求支撐疊加國際形勢變化增加備貨，Trendforce對于25Q2-25Q3 DDR4模組價格漲幅預(yù)期樂觀。

　　(2)NANDFlash：MLC/低容TLC停產(chǎn)推升eMMC價格，原廠減產(chǎn)疊加CSP需求高景氣驅(qū)動主流NAND模組逐步反彈。與DRAM產(chǎn)業(yè)DDR4世代逐步停產(chǎn)類似，存儲原廠在NANDFlash領(lǐng)域亦在逐漸推進制程迭代和產(chǎn)品升級，MLCNAND/256Gb TLC原廠退產(chǎn)在即，wafer價格持續(xù)拉升。在消費國補及上述低容NAND wafer停產(chǎn)影響下，低容eMMC產(chǎn)品現(xiàn)貨價格水漲船高。合約價方面，除低容eMMC等原廠規(guī)劃停產(chǎn)料號引發(fā)價格上漲外，由于云廠需求增長疊加原廠控產(chǎn)，主流NANDFlash亦有望逐步反彈。

　　企業(yè)級存儲國產(chǎn)化大勢所趨，國產(chǎn)廠商加速突圍

　　全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施擴建浪潮升溫，其中存儲器為數(shù)據(jù)存儲直接載體，大模型迭代下容量&性能同步進階，近年服務(wù)器NAND和DRAM應(yīng)用占比持續(xù)增長，已成全球存儲市場增長核心引擎。

　　(1)閃存模組：作為核心數(shù)據(jù)載體，企業(yè)級閃存模組除需滿足高性能與大容量需求外，還需符合客戶對使用壽命、運行穩(wěn)定性、功耗控制等維度的嚴苛要求。競爭格局上，Solidigm和三星憑借技術(shù)生態(tài)與供應(yīng)鏈整合能力占據(jù)主導(dǎo)地位;憶聯(lián)、憶恒創(chuàng)源領(lǐng)跑國產(chǎn)品牌陣營，而大普微、浪潮、江波龍（301308）等本土廠商正持續(xù)提升研發(fā)能力與品牌溢價，憑借強勁發(fā)展勢頭加速突破市場壁壘。

　　(2)內(nèi)存模組：內(nèi)存模組是計算機架構(gòu)的核心組成部分之一，主要作為CPU與硬盤的數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)站，用于臨時存儲數(shù)據(jù)，其存儲和讀取速度遠高于硬盤。相比于企業(yè)級閃存模組，企業(yè)級內(nèi)存模組市場原廠高度壟斷，獨立品牌的模組廠市場份額仍較小，目前江波龍、海普存儲(香農(nóng)芯創(chuàng)（300475）子公司)已有企業(yè)級內(nèi)存條相關(guān)產(chǎn)品，并實現(xiàn)量產(chǎn)銷售，正在實現(xiàn)國產(chǎn)0-1突破。

　　風(fēng)險提示：存儲產(chǎn)品價格波動影響、下游需求不及預(yù)期。